欢迎光临伊春干式变压器生产厂家(兄弟变压器有限公司)网站!本公司生产伊春scb10干式变压器,厂家直销,伊春干式变压器价格低,质量有保障

收藏本页 设为首页
0635-8252188

全国咨询热线:

全国咨询热线
banner图片
当前位置:首页 » 行业资讯 » MOSFET密勒效应的计算与分析

MOSFET密勒效应的计算与分析

责任编辑:伊春干式变压器生产厂家  发布时间:2019-11-01   点击数:37
MOSFET密勒效应的计算与分析先上个University of Cambridge课程中的MOS图:





本文主要介绍下利用MOS管的密勒效应来设计冲击电流控制,通过定量分析较为精确的控制上电电流。


所谓冲击电流,伊春干式变压器上电时会对负载电容进行充电,相当于一个RC充电的伊春干式变压器为零,理论上充电电流为无穷大。即使考虑导线的伊春干式变压器和电容的ESR,这也是一个很大的冲击电流。网上有不少资料介绍密勒平台控制冲击电流的,但大多不满足硬件工程师的应用要求,即没有给出如何根据电流限制值,确定中器件参数。


一、什么是密勒效应

以增强型N沟道MOSFET为例介绍。

注:下文伊春变压器厂家图中MOSFET符号是耗尽型,图暂时不做修改了。

情形一

假设N沟道MOSFET的漏源之间存在电容Cds,Cds充满电。

此时在栅极加电压,则Ugs瞬间变为Vg并保持不变;MOS管打开,Cds开始放电,放电电流恒定不变,Uds线性降低,直到为0。

情形二

在情形一的基础上,再假设MOS管的栅源间存在电容Cgs。



此时在栅极加电压,Cgs开始充电,Ugs上升,由于Rg的作用,充电电流越来越小,Ugs上升的速度越来越慢,即dUgs/dt越来越小。

Ids越来越大,到******后保持不变;Uds下降,下降速度越来越快,******一******速度线性下降直到为0;

情形三

在情形二的基础上,再假设MOS管的栅漏之间存在电容Cdg。

这就相当于引入了一个电压负反馈,由于Uds下降,带动Ugs下降,Uds下降越来越快,引起Ugs下降速度越来越快。
此时有两个因素会引起Ugs电压的变化:

Vg的充电作用,引起Ugs上升,但上升的速度越来越慢;
Cdg的电压负反馈,引起Ugs下降,且下降速度越来越快;
***终上升的速度与下降的速度相等,导致Ugs保持不变,即dUgs/dt=0,这就是密勒效应。

电流分析

下文从电流的角度,分析整个密勒效应的过程,电流方向如下图所示:

首先,需要判断Idg的方向。Ugs上升,上升速度下降;Uds下降,下降速度上升;则,Cdg两端电压Udg是下降的,且下降的速度上升;因此,电容Cdg是向MOS管的漏极放电,Idg的方向,是通过Cdg从栅极流向漏极,且Idg越来越大,即:Ig=Idg+Igs。
Ig越来越小,Idg越来越大,***终Ig=Idg,此时Igs=0;即dUgs/dt=0。

再从MOS管的转移特性曲线上,分析情形三时,MOS管开启的整个过程。

MOS管开启后,Uds慢慢下降,***终由于密勒效应,进入恒流区,Ids保持不变,Uds继续下降,当Uds下降到一定值后,进入可变伊春干式变压器区,Ugs开始上升。

可以看出,Ugs存在一个平台,所以密勒效应也叫密勒平台。

这是一个动态平衡的过程,当Ugs上升,Id变大,Uds下降,由于Cgd引入了电压负反馈,Ugs下降;从而Ig变大,Cgs充电,Ugs又上升。

基尔霍夫电压定律:Uds=Udg+Ugs

取导数:dUds/dt=dUdg/dt+dUgs/dt=dUdg/dt

又根据电容公式:Q=UC

即:dQds/Cdsdt=dQdg/Cdgdt

电荷对时间的变化率为电流

即:Ids/Cds=Idg/Cdg



文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。
联系我们
服务热线
0635-8252188

兄弟变压器有限公司

电话:0635-8252177

电话:0635-8252188

手机:13806350610 

邮箱:ddy0610@163.com

地址:山东聊城市凤凰工业园经三纬三路

伊春干式变压器生产厂家(兄弟变压器有限公司) @ copyright 2017
销售热线:0635-8252177  8252188
手机:13806350610  邮箱:ddy0610@163.com
地址:山东省聊城市凤凰工业园经三纬三路口 技术支持:互联纵横 

二维码